（微纳）原子层沉积（ALD）|北航智能微纳公共创新中心开放系统

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（微纳）原子层沉积（ALD）

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设备型号 :

当前状态 : |

负责人 :范志强 , 常晓阳 , 刘菓

联系人 :范志强 18810550119，18513766016

放置地点 :通用平台（用户注册不要选择） > B1-B02

IP地址 : 48:3F:DA:70:11:9A

机时预约送样预约

名称（微纳）原子层沉积（ALD）
资产编号ABC12364
型号
规格
产地
厂家
所属品牌
出产日期
购买日期
所属单位通用平台（用户注册不要选择）
使用性质科研
所属分类镀膜设备
联系人范志强
联系电话18810550119，18513766016
联系邮箱
放置地点B1-B02

主要规格及技术指标

中科院研究所ALD设备，最大支持4inch生长，可向下兼容，目前配备Al/Ti/Hf三路有机源，可根据需要配备其他源。支持H2O和O3反应气体。生长均匀性小于1%、生长温度小于250℃。

主要功能及特色

制备氧化物，如氧化铪、氧化铝、氧化钛，精确到0.1纳米，其特点是可按层生长，生长均匀性好，精度高，材料质量好，缺点生长速度慢，不太适合超过50nm以上的厚度。另外，根据可更换源料生长其他可用ALD生长的材料。

设备使用相关说明(收费标准)

使用铪源，25元/nm

备注

校外用户400元/小时